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广东三亿体育在线检测是获得CNAS和CMA资质认可的第三方检测机构，实验室具备元器件二次筛选资质和测试能力，可提供电连接器、微电子器件、半导体分立器件等元器件二次筛选服务。接下来为大家介绍电子元器件二次筛选试验项目及标准。

电子及电气元件环境试验

1. 温度冲击(温度循环）

检测标准（方法）：

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 107；

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 1010.1；

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1051；

电连接器试验方法 1000 类 环境试验 GJB1217A-2009 方法 1003。

2. 老炼

检测标准（方法）：

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 108；

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法1038/1039/1040/1042；

有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器通用规范 GJB192B-2011 4.5.16；

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB63B-2001 4.7.20；

有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.21；

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1005.1；

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1026。

3. 粒子碰撞噪声检测

检测标准（方法）：

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 217；

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 2052；

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 2020.1。

4. 冲击

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 2016；

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 2004；

5. 振动试验

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 2056；

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 2005；

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.11。

6.  盐雾试验

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1041,1046；

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1001。

7. 耐湿

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1021；

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1002。

8. 稳态湿热

检测标准（方法）：

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 103。

9. 稳定性烘焙

检测标准（方法）：

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1008.1；

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1031。

10. 低气压

检测标准（方法）：

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1011；

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1001；

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1001。

11. 加速度

检测标准（方法）：

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 2011。

12. 密封

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1071。

电子及电气元件性能检测

1. 电阻器

试验项目：电阻值

检测标准（方法）：

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 303；

有质量等级的薄膜固定电阻器总规范 GJB 244A-2001 4.8.5；

高稳定薄膜固定电阻器总规范 GJB 1929-1994 4.6.2；

片式膜固定电阻器通用规范 GJB 1432B-2009 4.5.2；

膜固定电阻网络,膜固定电阻和陶瓷电容的阻容网络通用规范 GJB 920A-2002 4.5.5；

有可靠性指标的精密固定电阻器总规范 GJB 1862-1994 4.7.5；

功率型线绕固定电阻器总规范 GJB 2828-97 4.6.2。

2. 电容器

试验项目：电容量

检测标准（方法）：

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 305；

1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.3；

2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.3；

高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.3；

有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.3；

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.7；

有可靠性指标的塑料膜（或纸－塑料膜）介质（金属,陶瓷或玻璃外壳密封）固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.10；

有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.8；

含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.10；

含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.6；

有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.4；

非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.6；

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.7；

非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.5。

试验项目：损耗角正切

检测标准（方法）：

电子设备用固定电容器 第一部分总规范 GB/T 2693-2001 4.8.1；

1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.4；

2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.4；

高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.4；

有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.4；

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.8；

有可靠性指标的塑料膜（或纸－塑料膜）介质（金属,陶瓷或玻璃外壳密封）固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.11；

有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.9；

含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.11；

含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.7；

有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.5；

非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.7；

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.8；

非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.6。

试验项目：漏电流

检测标准（方法）：

有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.3；

非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.5；

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.6；

非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.4。

试验项目：绝缘电阻

检测标准（方法）：

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 302；

1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.7；

2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.6；

高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.8；

有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.5；

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.10；

有可靠性指标的塑料膜（或纸－塑料膜）介质（金属,陶瓷或玻璃外壳密封）固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.9；

有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.5；

含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.9；

含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.5；

试验项目：介质耐电压

检测标准（方法）：

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 301；

1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.5；

2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.5；

高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.5；

有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.6；

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.9；

有可靠性指标的塑料膜（或纸－塑料膜）介质（金属,陶瓷或玻璃外壳密封）固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.7；

有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.6；

含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.7；

含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.2。

3. 二极管

试验项目：正向电压

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 4011；

半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分：整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.2；

半导体器件 分立器件 第 3 部分：信号（包括开关）和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 节 2，第 2 节 5。

试验项目：反向电流

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 4016；

半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分：整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.4；

半导体器件 分立器件 第 3 部分：信号（包括开关）和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 节 1，第 2 节 4。

试验项目：击穿电压

检测标准（方法）：

半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分：整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.3。

试验项目：工作电压

检测标准（方法）：

半导体器件 分立器件 第 3 部分：信号（包括开关）和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 2 节 1。

4. 双极型晶体管

试验项目：集电极-射极击穿电压

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 3011。

试验项目：集电极-基极击穿电压

检测标准（方法）：

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 10.2。

试验项目：发射极-基极击穿电压

检测标准（方法）：

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 10.2。

试验项目：集电极-基极截止电流

检测标准（方法）：

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 2.1。

试验项目：集电极-发射极截止电流

检测标准（方法）：

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 3。

试验项目：发射极-基极截止电流

检测标准（方法）：

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 2.2。

试验项目：正向电流传输比

检测标准（方法）：

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 2 节 7。

试验项目：集电极-发射极饱和电压

检测标准（方法）：

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 4。

试验项目：基极-发射极饱和电压

检测标准（方法）：

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 5。

5. 场效应晶体管

试验项目：漏一源击穿电压

检测标准（方法）：

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 3407。

试验项目：栅极漏泄电流

检测标准（方法）：

半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 2。

试验项目：漏极电流

检测标准（方法）：

半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 3。

试验项目：静态漏-源通态电阻

检测标准（方法）：

半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 15。

试验项目：漏极电流

检测标准（方法）：

半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 4。

试验项目：正向跨导

检测标准（方法）：

半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 10。

6. 电位器

试验项目：总阻值

检测标准（方法）：

线绕预调电位器通用规范 GJB 917A-2011 4.5.2.2；

非线绕预调电位器通用规范 GJB 918A-2011 4.5.2.2。

试验项目：终端电阻

检测标准（方法）：

非线绕预调电位器通用规范 GJB 918A-2011 4.5.2.3。

7. 电感器

试验项目：电感量

检测标准（方法）：

有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002 4.5.3.2。

试验项目：品质因素

检测标准（方法）：

有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002 4.5.3.3。

试验项目：直流电阻

检测标准（方法）：

射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB 1864A-2011 4.5.8.5。

8. 连接器

试验项目：介质耐电压

检测标准（方法）：

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 3001。

试验项目：绝缘电阻

检测标准（方法）：

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 3003。

9. 电磁继电器

试验项目：吸合电压

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.3.1；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。

试验项目：释放电压

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.3.3；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。

试验项目：吸合时间

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。

试验项目：吸合断开

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。

试验项目：吸合回跳

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。

试验项目：释放时间

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。

试验项目：释放断开

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。

试验项目：释放回跳

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.5.1；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。

试验项目：绕圈电阻

检测标准（方法）：

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.1；

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.1。

10. 固态继电器

试验项目：输出接通电阻

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。

试验项目：输出电压降

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。

试验项目：开启电流

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.2。

试验项目：瞬态电压

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.17。

试验项目：接通时间

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.13。

试验项目：关断时间

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.14。

试验项目：接通电压

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.6。

试验项目：关断电压

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.7。

试验项目：偏置电流

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.4。

试验项目：控制电流

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.5。

试验项目：输出漏电流

检测标准（方法）：

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.16。

11. 半导体集成电路运算放大器

试验项目：输入失调电压

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 5。

试验项目：输入失调电流

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 6。

试验项目：输入偏置电流

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 7。

试验项目：共模抑制比

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 12。

试验项目：电源电压抑制比

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 13。

试验项目：输出电压范围

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 14。

试验项目：开环电压放大倍数

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 10。

试验项目：电压转换速率（压摆率）

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第 IV 篇 第 2 节 20。

12. 半导体集成电路电压比较器

试验项目：输入失调电压

检测标准（方法）：

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.1。

试验项目：输入失调电流

检测标准（方法）：

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.3。

试验项目：输入偏置电流

检测标准（方法）：

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.5。

试验项目：静态电源电流

检测标准（方法）：

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.7。

试验项目：共模抑制比

检测标准（方法）：

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.9。

试验项目：电源电压抑制比

检测标准（方法）：

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.11。

试验项目：输出电压幅度

检测标准（方法）：

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.13。

试验项目：开环电压增益

检测标准（方法）：

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.8。

13. 数字集成电路CMOS 电路

试验项目：输出高电平电压

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。

试验项目：输出低电平电压

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇第 2 节 1。

试验项目：电源电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。

试验项目：输入电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。

14. 半导体集成电路 TTL 电路

试验项目：功能测试

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 节 6。

试验项目：输入钳位电压

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 6。

试验项目：输出高电平电压

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。

试验项目：输出低电平电压

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。

试验项目：输入高电平电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。

试验项目：输入低电平电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。

试验项目：输出短路电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 3。

试验项目：输出高阻态电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 7。

试验项目：电源电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。

试验项目：延迟时间

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 节 4.2。

15. 半导体集成电路电压调整器

试验项目：线性调整率

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇 第 3 节 2。

试验项目：负载调整率

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 4。

试验项目：纹波抑制比

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 3。

试验项目：静态电流

检测标准（方法）：

半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 7。

16. 集成电路模拟/数字转换器

试验项目：数字输入电流

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。

试验项目：输出高电平电压

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。

试验项目：输出低电平电压

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。

试验项目：增益误差

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。

试验项目：零点误差

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。

试验项目：线性误差

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。

试验项目：微分线性误差

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。

17. 集成电路数字/模拟转换器

试验项目：数字端输入电流

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。

试验项目：增益误差

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。

试验项目：零点误差

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。

试验项目：线性误差

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。

试验项目：微分线性误差

检测标准（方法）：

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。

18. DC/DC 变换器

试验项目：输出电压

检测标准（方法）：

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.1。

试验项目：输出电流

检测标准（方法）：

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.2。

试验项目：输出纹波电压

检测标准（方法）：

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.3。

试验项目：电压调整率

检测标准（方法）：

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.4。

试验项目：电流调整率

检测标准（方法）：

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.5。

试验项目：交叉调整率

检测标准（方法）：

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.6。

试验项目：输入电流

检测标准（方法）：

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.7。

试验项目：效率

检测标准（方法）：

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.9。

19. 半导体集成电路存储器

试验项目：输出高电平电压

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。

试验项目：输出低电平电压

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。

试验项目：输出高阻态电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 7。

试验项目：输入高电平电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。

试验项目：输入低电平电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。

试验项目：工作状态时电源电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。

试验项目：待机状态时电源电流

检测标准（方法）：

半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。